每經(jīng)AI快訊，9月9日，東微半導(dǎo)在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司很早就已布局了SiC業(yè)務(wù)，以高性能電源應(yīng)用方向?yàn)榍腥肟?，積極開(kāi)展研發(fā)工作。公司的SiC MOSFET、Si2C MOSFET、SiC SBD已實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品的性能指標(biāo)和同類(lèi)型競(jìng)品對(duì)比優(yōu)勢(shì)明顯，第四代SiC MOSFET產(chǎn)品技術(shù)平臺(tái)已完成研發(fā)。公司SiC產(chǎn)品已送樣多個(gè)頭部客戶并design win。