截至11:02，上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)下跌0.11%。成分股方面漲跌互現(xiàn)，華峰測控領漲2.31%，新益昌上漲2.07%，晶升股份上漲1.94%；和林微納領跌1.89%，中科飛測下跌1.55%，中芯國際下跌1.08%。科創(chuàng)半導體ETF（588170）多空膠著，最新報價1.1元。拉長時間看，截至2025年7月29日，科創(chuàng)半導體ETF近1周累計上漲6.69%。

流動性方面，科創(chuàng)半導體ETF盤中換手6.11%，成交2485.82萬元。拉長時間看，截至7月29日，科創(chuàng)半導體ETF近1周日均成交8706.38萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導體ETF最新規(guī)模達4.08億元，創(chuàng)近3月新高。從資金凈流入方面來看，科創(chuàng)半導體ETF近5天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.18億元凈流入，合計“吸金”1.37億元，日均凈流入達2748萬元。

從大市資金來看，數(shù)據(jù)顯示，半導體行業(yè)（申萬二級）近一月兩融余額持續(xù)攀升，截至7月29日，兩融余額為1222億元，創(chuàng)下近一月新高。

國信證券指出，半導體行業(yè)迎來全面反彈，看好"宏觀政策周期、產(chǎn)業(yè)庫存周期、AI創(chuàng)新周期"三重共振下的估值擴張行情。北美算力需求強勢上漲帶動交換機及服務器產(chǎn)業(yè)鏈增長，臺積電將年收入增速預期由25%上調(diào)至30%，顯示AI需求持續(xù)強勁。存儲技術進入迭代十字路口，DDR6有望加速滲透，國產(chǎn)存儲公司迎來升級窗口。美國發(fā)布AI行動計劃可能進一步限制半導體出口，推動國產(chǎn)制造、設備、材料等環(huán)節(jié)加速自主可控。谷歌上調(diào)全年資本開支至850億美元，反映AI云服務需求強勁，AI應用與算力基建形成正向循環(huán)。消費電子受益于AI端側創(chuàng)新及關稅政策落地呈現(xiàn)底部反彈，工業(yè)領域復蘇廣泛全面。電子板塊在密集催化下，2025年供需態(tài)勢有望改善。

相關ETF：公開信息顯示，科創(chuàng)半導體ETF（588170）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導體設備（59%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。半導體設備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356、C類：020357），指數(shù)中半導體設備（59%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。