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自旋電子器件制造工藝獲新突破

2023-03-24 07:48:03

每經(jīng)AI快訊,美國明尼蘇達雙城大學(xué)研究人員和國家標準與技術(shù)研究院(NIST)的聯(lián)合團隊開發(fā)了一種制造自旋電子器件的突破性工藝,該工藝有可能成為半導(dǎo)體芯片新的行業(yè)標準。半導(dǎo)體芯片是計算機、智能手機和許多其他電子產(chǎn)品的核心部件,新工藝將帶來更快、更高效的自旋電子設(shè)備,并且使這些設(shè)備比以往更小。研究論文發(fā)表在最近的《先進功能材料》上。(科技日報)

責編 王曉波

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